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原子层沉积系统ALD

简要描述:原子层沉积系统ALD:ALD可实现从传统的 0D、1D 和 2D 材料到仿生结构和混合材料、多孔模板和具有均匀控制成分和物理化学性质的三维复杂纳米结构。

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  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2022-12-10
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ALD可实现从传统的 0D、1D 和 2D 材料到仿生结构和混合材料、多孔模板和具有均匀控制成分和物理化学性质的三维复杂纳米结构。

原子沉积系统ALD

标准型(Standard )设备

价格低、质量高、可任选附件进行搭配

结构简单,操作方便,后期维护简单易行

用途广,适合各种基底材料

原子层沉积系统ALD ——扩展型(Flexivol)设备

腔室体积可根据用户样品的尺寸灵活调节,同一腔室可通过简单的调节适用于不同厚度的样品

增多前驱体源入口数目,避免腔室体积增大对前驱体化学源气氛分布的影响

ALD原子层沉积系统——高度定制化(Non-Standard)设备

为工业客户提供薄膜沉积方案

放大基于标准研究型设备检验的相同技术

根据客户的特殊需求,加工定制,满足特殊应用及大规模的生产需要

研发(R&D)服务

开发新的薄膜沉积方案

诊断、改进现有ALD的工艺

为潜在的客户做覆膜演示

薄膜沉积工艺咨询

原子层沉积系统ALD技术参数

不锈钢材质腔室,根据客户样品尺寸有不同的腔室直径(D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm)和高度(H = 20 mm, H = 50 mm)可选;前驱体进样系统标配四路(包含冷和热两种前躯体),可配至八路

前驱体进样系统配有快速气动阀门

多段温度控制

前驱体温控0-200 °C,精度1 °C

腔室温控0-300 °C ,精度1 °C

进出腔室管路温控0-150 °C ,精度1 °C

基本压强 10^−1/10^−3 mbar

设备尺寸 1000x600x1000 mm

触控控制系统

系统当前状态信息显示:气流速度、温度、压力和阀门开度等

工艺监控:温度和压力等

偏差报警和安全锁

菜单操作,实时监控

可增配选项

等离子体发生器    借助等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能

臭氧发生器         提供强氧化剂,增大ALD生长的前驱体选择范围

石英晶体微天平    在线监测薄膜沉积的厚度

工业及非标研发系统

<strong>原子层沉积系统ALD</strong>(图1)


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