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SiC基单层石墨烯电极

简要描述:

SiC基单层石墨烯电极是在SiC基底上生长 1 个 15 x 15 mm2单层石墨烯样品。

更新时间:2020-03-30

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SiC基单层石墨烯电极
品牌自营品牌供货周期两周
应用领域能源,航天,电气

    SiC基单层石墨烯电极是在SiC基底上生长 1 个 15 x 15 mm2单层石墨烯样品。

    SiC基单层石墨烯电极是由碳(C)原子组成的晶体平面,sp2键在蜂窝晶格中结合,其中碳与三个平面内键结合,而第四个在垂直方向上是不饱和键。这种晶体结构负责石墨烯的独特特性。在本产品中,石墨烯在Si端接SiC基板上形成。首次形成的碳层称为界面层或缓冲层,它是绝缘的,因为它的碳原子有三分之一与SiC基板共价结合。外延石墨烯是指在界面层之上形成的碳层,具有隔离单层石墨烯典型的线性分散。

    本产品为极耐用电极,适合多种使用。如果涂覆了涂层,无论采用何种沉积技术,都可以通过强酸或碱溶液(取决于涂层性质)去除涂层,而不会影响石墨烯层。请注意,如果应用的电势高于 +2VSiC 上的单层石墨烯可能会以电化学方式降解。

 

规范
覆盖率: 100%
厚度变化:< 10%="" of="" bi-layer="">
电导率类型:n
薄板载体密度:2 x 1012 × 5 x 1012厘米-2
移动性: 1500 - 2200 厘米2/V
基板类型:4H-SIC HPSI
基板厚度:0.5 毫米
基板长度: 15 毫米
基板宽度:15 毫米
基板方向:轴上
基板电阻率范围:± 1 x 105 °cm
基板微管密度(MPD):标准
基板精加工:双面抛光 Si CMP

 

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